Sony Xperia Neo L MT25i - первый смартфон компании на основе Android 4.0 ICS Компания Sony официально представила свой первый смартфон на основе Android 4.0 Ice Cream Sandwich.
ZTE Score M - первый смартфон компании для оператора MetroPCS Китайская компания ZTE Corporation и североамериканский оператор MetroPCS Communications представили новый смартфон – ZTE Score M. 
HTC назвала смартфоны, которые получат Android 4.0 Ice Cream Sandwich Компания HTC опубликовала в своем официальном блоге список из 16 смартфонов, которые получат операционную систему Android 4.0 Ice Cream Sandwich. 
Cмартфон Xperia sola с уникальной технологией floating touch Компания Sony Mobile Communications объявила о выпуске нового Android смартфона – Xperia sola, основной особенностью которого является функция floating touch – бесконтактное управление встроенным браузером, а также поддержка NFC меток Xperia SmartTags, позволяющих мгновенно изменять настройки смартфона и запускать приложения.
Двухъядерный смартфон Samsung Galaxy Ace 2 уже доступен для предзаказа Недорогой смартфон Samsung Galaxy Ace 2 с двухъядерным процессором уже можно предзаказать в Британии. 
Смартфон Alcatel ONE TOUCH Venture – «моноблок» с QWERTY клавиатурой Североамериканский оператор Sprint, предлагающий услуги без заключения контракта под торговой маркой Virgin Mobile USA, представил новую модель Android смартфона Alcatel ONE TOUCH Venture. Популярное |
Обзоры |
Sandisk начинает серийное производство 43-нм NAND флэш-памяти
Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сегодня сообщили о запуске производства NAND памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level, MLC) по 43-нанометровому техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм 16-гигабитным техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти. Корпорация SanDisk намерена начать поставки одночиповой MLC NAND флэш-памяти с самой высокой на сегодняшний день плотностью хранения информации в течение второго квартала 2008 года. Сначала компания планирует производить 16-гигабитные чипы, а во второй половине 2008 года – и 32-гигабитные чипы.
Компании SanDisk и Toshiba поделились своими технологическими достижениями и представили спецификации своей 43 нм 16-гигабитной NAND флэш-памяти на международной конференции по твердотельной памяти 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC).
Стремясь укрепить лидирующие позиции в области конструирования и разработки передовых технологий производства NAND флэш-памяти, компания SanDisk начала перевод своего производства на фабрике Toshiba Yokkaichi Operations, рядом с Нагойей (Япония), на 43-нм техпроцесс. Компании SanDisk и Toshiba поровну делят полученную на фабрике продукцию; совместными усилиями они разработали множество новых технологий и решений в области MLC NAND. Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на фабрике Fab 4, недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по производству 300-мм кремниевых пластин. Во второй половине 2008 года ожидается переход на 43-нм техпроцесс и фабрики Fab 3.
Ожидается, что появление 43-нм NAND флэш-памяти, а также системные инновации и собственные технологии контроллеров памяти SanDisk будут способствовать развитию рынков твердотельных накопителей и управляемой NAND памяти, такой как iNAND, позволят увеличить емкость флэш-накопителей для быстро растущего рынка мобильных устройств, и помогут укрепить лидирующее положение компании в сегменте высокопроизводительных решений.
